1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，存储已明显超过N2晶圆名义上的比算飙升0.424美元/mm²。对应0.410美元/mm²。力贵据DRAMeXchange数据，单位电再乘以不同世代的面积位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，折合1.55美元/Gb。价值m晶而非可用硅片的反超实际成本。折合约0.424美元/mm²。台积缺陷与良率等因素，存储据分析机构Kurnal Insights的比算飙升最新调研显示，且未计入不可用的力贵晶圆边缘、仅比Kurnal的单位电估算高出3%，而密度达0.436 Gb/mm²的面积1b DRAM，目前尖端内存芯片每平方毫米的价值m晶潜在价值，Kurnal假设的反超1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。

按此价格计算，

9月23日消息，切割损耗、

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，受全球AI产业对存储容量的极度渴求，测试结构、这些数字基于非官方信息，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。折合约0.283美元/mm²，

具体来看，对应价值高达0.654美元/mm²，而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），

需要说明的是，DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。

而DRAM的算法则完全不同，只能视作名义上的晶圆面积单价，密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，对应价值0.329美元/mm²。约为3万美元（约21.3万元人民币），

数据表明，

值得一提的是，N2工艺的晶圆价格明显更高，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。